搜产品
搜企业
客服电话:13631151688
广告
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电苹果尚未公布的 m1x 芯片性能可能 其，多核性能预估十核酷睿 i9-10900k 和八核锐龙 r7-5800x 。
，苹果的 macbook pro 机型有望在 2021 年下半年批量生产，预计这是早一批搭载 m1x 芯片的设备。这款即将发布的芯片据说比 5nm 架构的 m1 还要。博主卢克 · 米亚尼(luke·miani)根据苹果现有芯片组的性能数据提供了一些性能估计，如果这些数字是准确的，新的 macbook pro 机型可能是上性能强的便携式笔记本电脑。
米亚尼提供了一个图表，显示了 m1x 的预估性能。暂时不知道新的 apple sil n 芯片组是否会叫做 m1x ，不过更重要的是它的运行性能如何。
根据之前苹果芯片的测试结果来推算，m1x 的 geekbench 的多核得分几乎达到了 14000 分，明显快于 8 核的 amd ryzen 7 5800x 和 10 核的英特尔 core i9-10900k。值得一提的是，在 m1 正式发布之前，米亚尼提供了 a14x bionic 的一些估计性能数据，显示结果与 core i9-9880h 。m1 仅仅是 a14x bionic 的一个名字不同的变体，之前的基准测试显示米亚尼的计算是准确的。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。 三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6