ES1J-ASEMI超快恢复二极管ES1J

作者：深圳市强元芯电子有限公司来源：asemi888 发布时间：2022-06-29 浏览：357

编辑：ll

品牌：ASEMI

封装：SMA

正向电流：1A

反向电压：1000V

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：50MIL

漏电流：100A

恢复时间：150ns

芯片材质：硅

封装尺寸：如图

特性：快恢复二极管

工作结温：-55℃~150℃

ES1J超快恢复二极管

ES1J的电性参数：正向电流1A；反向电压1000V

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

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