您好,欢迎来到中国企业库   [请登陆]  [免费注册]
小程序  
APP  
微信公众号  
手机版  
 [ 免责声明 ]     [ 举报 ]
客服电话:13631151688
企业库首页>资讯
行业
超级猎聘人才网 广告

南京回收南亚手机内存K9F8G08U0M-PCB0

作者:深圳市东域电子有限公司 来源:dongtadianzi 发布时间:2022-12-17 浏览:31

25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

当今的算法主要是软硬件算法两大路径:使用cpu来驱动算法,虽然部署简便,但由于cpu发展面临瓶颈,时延难以突破,因此缺乏市场竞争力,硬件算法方式需要开发商基于it系统进行设计和架构,虽然因一定程度解决时延问题具备较强的竞争力,但成本高且交付周期长,潜在风险大;而从软件算法转换成硬件方式,门槛则非常高。
如何困扰当今众多厂商面临的这些挑战、帮助客户无需硬件开发就可以达到微秒级的低时延要求?
赛灵思推出的 alveo smartnic sn1000加速卡就是这样一个开箱即用的加速算法解决方案。
2×100gb的alveo sn1000是业界硬件可组合式smartnic,符合数据 封装的尺寸需求,而功耗仅为75瓦。sn1000采用16核nxp arm soc构建,ultrascale+ fpga架构、arm的子系统以及可编程的viits networking等特性,可满足市场不断变化的需求。
由于预行了硬件加速,sn1000 smartnic稍加配置即可对远程存储、nvme或其他流量以及安和防火墙进行加速,实现了开箱即用、即插即用,同时维持相关性能不变。
sn1000 的另一个特性是,可以非常方便地移除预制某些功能,然后基于其统一软件平台vitis新打造的vitis networking,使用类似p4这样的语言对数据面进行编程,也可以使用c和c++的语言对于arm进行控制和流量的管理,满足客户自认为非常重要的应用领域。无论是配置还是加速,均可由赛灵思或客户来实现,亦可由客户的客户或 的软件和ip合作伙伴来实现。这体现了赛灵思所提供的的可编程的灵。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。  三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  回收ti德州仪器封装QFP芯片回收kingbri封装SOP20芯片回收MICRON/美光封装QFP144芯片回收WINBOND华邦发动机管理芯片回收atheros蓝牙芯片回收ROHM升压IC 回收INFINEON进口新年份芯片回收idesyn声卡芯片回收Vincotech手机存储芯片回收ST意法车充降压IC 回收semtech汽车主控芯片回收maxim网卡芯片回收丽晶微降压恒温芯片回收艾瓦特网卡芯片回收toshiba网卡芯片回收海旭芯片回收赛灵思进口芯片回收VISHAY手机存储芯片回收矽力杰进口新年份芯片回收WINBOND华邦MOS管场效应管回收Marvell原装整盘IC 回收INFINEON汽车主控芯片回收silergy计算机芯片回收NS隔离恒温电源IC 回收ELITECHIP封装QFP芯片回收maxim路由器交换器芯片回收PARADE谱瑞触摸传感器芯片回收MICRON/美光MOS管场效应管回收ST意法封装QFP144芯片回收飞思卡尔进口芯片回收atheros传感器芯片回收东芝原装整盘IC 回收瑞萨DOP封装芯片回收idesyn稳压器IC 回收ELITECHIP稳压管理IC 回收HOLTEK合泰ADAS处理器芯片回收CJ长电汽车主控芯片回收idesyn封装sot23-5封装芯片回收silergy降压恒温芯片回收韦克威稳压管理IC 回收TAIYO/太诱芯片回收芯成原装整盘IC 回收尚途sunto隔离恒温电源IC 回收idt传感器芯片回收韦克威进口IC 回收东芝电池充电管理芯片回收TAIYO/太诱ADAS处理器芯片回收GENESIS起源微进口芯片回收TAIYO/太诱进口IC

郑重声明:资讯 【南京回收南亚手机内存K9F8G08U0M-PCB0】由 深圳市东域电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库www.qiyeku.cn)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
会员咨询QQ群:902340051 入群验证:企业库会员咨询.
免费注册只需30秒,立刻尊享
免费开通旗舰型网络商铺
免费发布无限量供求信息
每天查看30万求购信息