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TOP256YN回收液晶电源管理芯片IC 181+2470一起1558 微芯同号 a) 寿命(性)
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势，典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
b) 位交换
在某些情况下(很少见，nand发生的次数要比nor多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。
位反转的问题 见于nand闪存，nand的供应商建议使用nand闪存的时候，同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时， 使用edc/ecc系统以性。
