激光二极管

品牌：QSI    型号:QL65E5SA    
是否提供加工定制：否
种类：激光器
波段范围：可见光
运转方式：连续式
激励方式：电激励式
工作物质：固体
光路径：透过型外光路
输出形式：光敏器件型
速度：高速
通道：单通道
输出波长：650(nm)
功率：7mw
操作温度：-10~50度

产品特点

　　QSI激光二极管全新的整体式系统设计，提高了照射强度和使用寿命，使之能够更加适应于恶劣环境和工业环境下应用。

　　1.采用进口半导体泵浦激光器，使用寿命可达2W小时以上。

　　2.可连续长时间工作，不会出现光衰现象。

　　3.使用、安装方便。

　　4.散热性能极好，可以在-10-50度的环境使用

　　5.功耗小、放线速度快。

韩国QSI原装激光二极管(635nm,650nm,685nm,等等)的详细描述：主供韩国QSI公司的产品,以短波长小功率半导体激光二极管为主,有635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,670nm/5-10mW,685nm/30-50mW,780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,850nm/5-50mW,905nm/5-10mW。

    QSI公司的激光二极管是全自动化生产。从起初的LD芯片设计、外延，到后续的PKG封装，都拥有着一套完善的工艺流程.全年不间断的生产为广大新老客户提供了充足的货源，并且提供相应的技术支持。质保证，价格优越，售后服务体系完善.

使用注意事项

　　1、激光对眼睛有害，请勿对着眼睛照射，切记!(如需保护眼睛也可配戴激光防护镜)

　　2、请严格按照规格书要求操作。

　　3、请将激光产品放置在小孩接触不到的地方。

　　4、请正确处理废弃的激光，让地球更洁净。

半导体激光二极管LD在工作中易退化的四大原因

　　半导体激光二极管LD本身比较娇嫩，从它刚出现就面临着使用寿命的问题，经过不断的研究改进，目前激光二极管LD的寿命可达1万小时，以能够满足光纤通信使用的需要。激光二极管LD在工作中易退化的原因主要有以下几个方面：

　　1，半导体激光二极管LD的管芯极小，工作电流密度和光功率密度很高，而作为激光物质的半导体单晶材料又较容易发生缺陷，这些缺陷在电和光的作用下逐渐发展，从而引起器件性能的退化。

　　2，半导体激光二极管LD的镜面是用解理工艺形成的，镜面本身受到环境条件影响而污染也会也会导致激光二极管LD性能退化。

　　3，激光二极管LD的管芯焊接也是关键技术，管芯焊在热沉之上，而有源去距离热沉只有几微米;半导体激光二极管LD工作会发热，如果焊料太多，受热时会发生缓慢的攀移，使半导体激光二极管LD发生短路，导致激光二极管LD退化。

4，随着工作时间的延长，激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加，从而导致激光二极管LD退化.

 公司网站http:// 

QSI激光二极管的详细信息 

品牌：QSI
型号:QL83J6SA
是否提供加工定制：否
种类：激光器
波段范围：不可见光
运转方式：连续式
激励方式：电激励式
工作物质：固体
光路径：透过型外光路
输出形式：光敏器件型
速度：高速
输出波长：830(nm)
功率：50mw

韩国QSI原装激光二极管(635nm,650nm,685nm,等等)的详细描述：主供韩国QSI公司的产品,以短波长小功率半导体激光二极管为主,有635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,670nm/5-10mW,685nm/30-50mW,780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,850nm/5-50mW,905nm/5-10mW。

    QSI公司的激光二极管是全自动化生产。从起初的LD芯片设计、外延，到后续的PKG封装，都拥有着一套完善的工艺流程.全年不间断的生产为广大新老客户提供了充足的货源，并且提供相应的技术支持。质保证，价格优越，售后服务体系完善.

使用注意事项

　　1、激光对眼睛有害，请勿对着眼睛照射，切记!(如需保护眼睛也可配戴激光防护镜)

　　2、请严格按照规格书要求操作。

　　3、请将激光产品放置在小孩接触不到的地方。

　　4、请正确处理废弃的激光，让地球更洁净。

半导体激光二极管LD在工作中易退化的四大原因

　　半导体激光二极管LD本身比较娇嫩，从它刚出现就面临着使用寿命的问题，经过不断的研究改进，目前激光二极管LD的寿命可达1万小时，以能够满足光纤通信使用的需要。激光二极管LD在工作中易退化的原因主要有以下几个方面：

　　1，半导体激光二极管LD的管芯极小，工作电流密度和光功率密度很高，而作为激光物质的半导体单晶材料又较容易发生缺陷，这些缺陷在电和光的作用下逐渐发展，从而引起器件性能的退化。

　　2，半导体激光二极管LD的镜面是用解理工艺形成的，镜面本身受到环境条件影响而污染也会也会导致激光二极管LD性能退化。

　　3，激光二极管LD的管芯焊接也是关键技术，管芯焊在热沉之上，而有源去距离热沉只有几微米;半导体激光二极管LD工作会发热，如果焊料太多，受热时会发生缓慢的攀移，使半导体激光二极管LD发生短路，导致激光二极管LD退化。

4，随着工作时间的延长，激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加，从而导致激光二极管LD退化.

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激光二极管品牌：QSI

输出波长:850nm

功率：100mw

温度：-10~40度

封装：TO-18

★我们可以提供主要有以下型号：

　　635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,

　　780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,

　　905nm/5-10mW,980nm/5-10mW。等等

★产品用途：

激光的发射原理及产生过程的特殊性决定了激光具有普通光所不具有的特点：即三好(单色性好、相干性好、方向性好)一高(亮度高)。利用激光的定向性好和高亮度，可广泛应用于医疗保健、军事、鉴伪、安防、舞台(红、绿、蓝)灯光、各种电动工具、测量类、仪器、设备、水平尺、定位仪、测距仪、测温仪、激光标线仪(投线仪)、电子工量具、鼠标、U盘、手机、投影教学翻页笔、激光笔、工艺品、室内外装饰、手电筒、礼品类、玩具类等产品。

主要用途：

可以用在红外照明、信号认别、激光测距、红外准直光源、激光医学、激光治疗仪等

    半导体激光二极管LD本身比较娇嫩，从它刚出现就面临着使用寿命的问题，经过不断的研究改进，目前激光二极管LD的寿命可达1万小时，以能够满足光纤通信使用的需要。激光二极管LD在工作中易退化的原因主要有以下几个方面：

1，半导体激光二极管LD的管芯极小，工作电流密度和光功率密度很高，而作为激光物质的半导体单晶材料又较容易发生缺陷，这些缺陷在电和光的作用下逐渐发展，从而引起器件性能的退化。
2，半导体激光二极管LD的镜面是用解理工艺形成的，镜面本身受到环境条件影响而污染也会也会导致激光二极管LD性能退化。
3，激光二极管LD的管芯焊接也是关键技术，管芯焊在热沉之上，而有源去距离热沉只有几微米；半导体激光二极管LD工作会发热，如果焊料太多，受热时会发生缓慢的攀移，使半导体激光二极管LD发生短路，导致激光二极管LD退化。
4，随着工作时间的延长，激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加，从而导致激光二极管LD退化。 

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标题：850nm 200MW激光二极管QSI中国区域总代理

激光二极管品牌：QSI

输出波长:850nm

功率：200mw

温度：-10~40度

封装：TO-18

★我们可以提供主要有以下型号：

　　635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,

　　780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,

　　905nm/5-10mW,980nm/5-10mW。等等

★产品用途：

激光的发射原理及产生过程的特殊性决定了激光具有普通光所不具有的特点：即三好(单色性好、相干性好、方向性好)一高(亮度高)。利用激光的定向性好和高亮度，可广泛应用于医疗保健、军事、鉴伪、安防、舞台(红、绿、蓝)灯光、各种电动工具、测量类、仪器、设备、水平尺、定位仪、测距仪、测温仪、激光标线仪(投线仪)、电子工量具、鼠标、U盘、手机、投影教学翻页笔、激光笔、工艺品、室内外装饰、手电筒、礼品类、玩具类等产品。

主要用途：

可以用在红外照明、信号认别、激光测距、红外准直光源、激光医学、激光治疗仪等

    半导体激光二极管LD本身比较娇嫩，从它刚出现就面临着使用寿命的问题，经过不断的研究改进，目前激光二极管LD的寿命可达1万小时，以能够满足光纤通信使用的需要。激光二极管LD在工作中易退化的原因主要有以下几个方面：

1，半导体激光二极管LD的管芯极小，工作电流密度和光功率密度很高，而作为激光物质的半导体单晶材料又较容易发生缺陷，这些缺陷在电和光的作用下逐渐发展，从而引起器件性能的退化。
2，半导体激光二极管LD的镜面是用解理工艺形成的，镜面本身受到环境条件影响而污染也会也会导致激光二极管LD性能退化。
3，激光二极管LD的管芯焊接也是关键技术，管芯焊在热沉之上，而有源去距离热沉只有几微米；半导体激光二极管LD工作会发热，如果焊料太多，受热时会发生缓慢的攀移，使半导体激光二极管LD发生短路，导致激光二极管LD退化。
4，随着工作时间的延长，激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加，从而导致激光二极管LD退化。

公司网站:http://

品牌：韩国QSI

型号：QL63H5SA

·  类型：量子阱/QW型

·  半导体材料：砷化镓

·  封装方式：玻璃封装

·  正向电压降：2V

·  {zd0}反向工作电压：30V

·  额定整流电流：30A

·  {zd0}反向漏电流：60A

·  外形尺寸：5.6mm

·  功耗：20mw

·  FFH：9deg

·  FFV：30deg

·  操作温度：-10~+50

·  存储温度：-40~+85供应QSI激光二极管635nm 20mw QSI总代销售

型号：QL63H5S-A/B/C

使用范围：激光指挥棒（Laser Pointer）；

               激光模组 （laser module）

特点：

波长：635nm 

功率：20mw

封装模式：TO-18 （5.6mmφ）

1.判别正、负电极　　

  (1)观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端极.

  (2)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。?以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。　　

2.检测{zg}工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。　　

3. 检测{zg}反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此{zg}反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，{zg}反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比{zg}反向工作电压高得多(约高一倍)。　　

4.检测玻封硅高速开关二极管

  检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K，反向电阻值为无穷大。　　

5.检测快恢复、超快恢复二极管　　

  用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。　　

6.检测双向触发二极管　　

  A将万用表置于R×1K挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。

  B将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。{zh1}将VBO与VBR进行比较，两者的{jd1}值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。

7.瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测　　

  用万用表R×1K挡测量管子的好坏,对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4KΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。　　

8.高频变阻二极管的检测　　

  A识别正、负极　　高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。　　

  B测量正、反向电阻来判断其好坏　　具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5K～55K，反向电阻为无穷大。　　8.变容二极管的检测　　将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。

9.单色发光二极管的检测　　在万用表外部附接一节15V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了15V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。　　

10.红外发光二极管的检测　　

A判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。　　

B将万用表置于R×1K挡，测量红外发光二极管的正、反向电阻，通常，正向电阻应在30K左右，反向电阻要在500K以上，这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。

★我们可以提供主要有以下型号：

　　635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,

　　780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,

　　905nm/5-10mW,980nm/5-10mW。等等

 公司网址：http://

型号：QL63F4S-A/B/C带窗

使用范围：激光指挥棒（Laser Pointer）；

          条形码阅读器，条形码阅读机（ Bar Code Reader）；

          激光模组 （laser module）

特点：

波长：635nm 

功率：10mw

封装模式：TO-18 （5.6mmφ）带窗

★我们可以提供主要有以下型号：

　　635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,

　　780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,

　　905nm/5-10mW,980nm/5-10mW。等等

★产品用途：

激光的发射原理及产生过程的特殊性决定了激光具有普通光所不具有的特点：即三好(单色性好、相干性好、方向性好)一高(亮度高)。利用激光的定向性好和高亮度，可广泛应用于医疗保健、军事、鉴伪、安防、舞台(红、绿、蓝)灯光、各种电动工具、测量类、仪器、设备、水平尺、定位仪、测距仪、测温仪、激光标线仪(投线仪)、电子工量具、鼠标、U盘、手机、投影教学翻页笔、激光笔、工艺品、室内外装饰、手电筒、礼品类、玩具类等产品。

激光二极管在目前制造的器件中是对静电最敏感的器件之一，一般激光二极管都会配有使用说明书，如果您是按照说明书使用时，激光二极管具有极长的使用寿命，这是因为激光二极管损坏的大部分原因在于错误操作或使用时超出了激光器的额定值。所以无论在任何时候取放激光二极管时，都应该采取适当的静电保护措施。由于激光二极管具有极高的静电敏感性，因此它们在拆封后恕不退货。如果激光二极管保持原封装，则能退换货，所以在购买之前一定要有正确使用激光二极管的知识，你防止不必要的损失!

　　取放和存放措施

　　1.静电手环：在取放激光二极管时应使用接地的防静电手环。

　　防静电手环可以安全地将去除接触激光二极管、放大光电和其他静电敏感设备的人员身上的静电。接地线内含1兆欧的电阻以确保用户的安全，如果腕带与静电控制平台垫一起使用，防静电效果会更好。

　　2.防静电台垫：应在接地的防静电台垫上对其进行操作。

　　静电弛豫时间50毫秒，防静电台垫可以保护敏感的光电器件免受静电放电的损坏。这些重型垫的静电弛豫时间为50毫秒，确保能在极端条件下发挥防护作用。静电防护腕带一般可以与平台垫相连接，当接触敏感电子器件时，通过腕带使操作人员接地是非常必要的。

　　3. 激光二极管存放：在不适用激光二极管时，将激光二极管的导线短接，从而防止发生ESD损坏。

★我们可以提供主要有以下型号：

　　635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,

　　780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,

　　905nm/5-10mW,980nm/5-10mW。等等

激光二极管温度控制系统的数字电路，也是控制器硬件的核心部分，主要设计微控制器及其外围接口电路，包括信号的输入、输出通道及系统数字显示电路。如上节所述，被控对象激光二极管的温度信号经过传感器及放大电路后，生成0—4V的模拟电压信号。微控制器需要的是数字信号，本节将论述信号之间转换、信号的显示及数字控制器的硬件电路部分。

　　微控制器，亦称单片机或单片微型计算机。它是把中央处理器(CUP)、随机存取存储器(ARM)、只读存储器(ORM)、输入/输出端口(I/0)等主要计算机功能部件都集成在一块集成电路芯片上的微型计算机。它的结构与指令功能都是按照工业控制的要求设计的，在智能控制系统中，微控制器得到了广泛的应用。计算机的产生加快了人类改造世界的步伐，但是它毕竟体积大。微计算机(单片机)在这种情况下诞生了。从单片机出现至今，单片机广泛应用在许多领域之中，从导弹的导航装置，到飞机上各种仪表的控制，从计算机的网络通讯与数据传输，到工业自动化过程的实时控制和数据处理，以及我们生活中广泛使用的各种智能CI卡、电子宠物等，这些都离不开单片机。

　　单片机的种类很多，有PIC系列、Motorola系列等，TI公司的MSP430系列单片机的应用目前增长较快。各个系列的单片机各有所长，在处理速度、稳定性、I/O能力、功耗、功能齐全、价格等方面各有优劣。这些种类繁多的单片机家族，给我们单片机的选择提供了很大的余地。

　　本系统选用AT89C51作为CPU。AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的低功耗、低价格，高性能8位微处理器。该单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除1000次。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造，与工业标准的MCS一51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中，ATMEL的AT89C51是一种{gx}微控制器。

　　AT89C51的主要特性如下:与MCS一51兼容;4K字节可编程闪烁存储器;寿命:1000写/擦循环数据保留时间:10年;全静态工作:OHz一24Hz;三级程序存储器锁定;128*8位内部RAM;32可编程1/0线;两个16位定时器/计数器;5个中断源;可编程串行通道;低功耗的闲置和掉电模式;片内振荡器和时钟电路等。

A/D转换器

　　接口是计算机与外部设备交换信息的桥梁，它包括输入接口和输出接口。单片机接口技术是研究单片机与外部芯片之间如何交换信息的技术，外部的各种信息通过输入接口送入单片机，而单片机的各种信息通过输出接口送到外部芯片中，因此单片机需通过信息转换器件实现信息的交流与控制。人们把由模拟量到数字量转换器件称为模拟一数字转换器，简称A/D转换器或ADC。

　　A/D转换器在数据采集和控制系统中得到了广泛应用。常用的A/D转换方式有逐次逼近式和双斜积分式，前者转换时间短(几个微秒一几百个微秒)，但抗干扰能力差;后者转换时间长(几十个毫秒~几百个毫秒)，抗干扰能力较强。因此在信号变化缓慢，现场干扰严重的场合，宜采用双斜积分式A/D转换器。A/D转换器的主要技术指标有转换时间、分辨率及线性误差等。

　　系统显示电路

　　本系统DL温度数据显示采用专用数码管显示芯片MAX7219，使用方便且硬件连线简单，不占用数据存储空间，不用单片机动态扫描，只需将要显示的数字量串行送至相应的数字存储器即可自动扫描及自动显示，缩短了本温度控制系统的采样周期。MAX7219是一种高集成化的串行输入/输出的共阴极LDE显示驱动器。每片可驱动8位7段加小数点的共阴极数码管，可以数片级联，而与微处理器的连接只需3根线。MAX7219内部设有扫描电路，除了更新显示数据时从单片机接收数据外，平时独立工作，极大地节省了MUC有限的运行时间和程序资源。

4，随着工作时间的延长，激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加，从而导致激光二极管LD退化。

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